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BC307C Datasheet

  • BC307C

  • Amplifier Transistors(PNP Silicon)

  • 88.14KB

  • 4頁

  • ONSEMI

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by BC307/D
Amplifier Transistors
PNP Silicon
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
BC307
BC307B
BC307C
BC308C
1
2
3
CASE 29鈥?4, STYLE 17
TO鈥?2 (TO鈥?26AA)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector 鈥?Emitter Voltage
Collector 鈥?Base Voltage
Emitter 鈥?Base Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Total Device Dissipation @ TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Total Device Dissipation @ TC = 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ, Tstg
BC307, B, C
鈥?5
鈥?0
鈥?.0
鈥?00
350
2.8
1.0
8.0
鈥?55 to +150
BC308C
鈥?5
鈥?0
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/擄C
Watts
mW/擄C
擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
q
JA
R
q
JC
Max
357
125
Unit
擄C/W
擄C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25擄C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector 鈥?Emitter Breakdown Voltage
(IC = 鈥?.0 mAdc, IB = 0)
Emitter 鈥?Base Breakdown Voltage
(IE = 鈥?00
m
Adc, IC = 0)
Collector鈥揈mitter Leakage Current
(VCES = 鈥?0 V, VBE = 0)
(VCES = 鈥?0 V, VBE = 0)
(VCES = 鈥?0 V, VBE = 0) TA = 125擄C
(VCES = 鈥?0 V, VBE = 0) TA = 125擄C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICES
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?.2
鈥?.2
鈥?.2
鈥?.2
鈥?5
鈥?5
鈥?.0
鈥?.0
nAdc
碌A
鈥?5
鈥?5
鈥?.0
鈥?.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Vdc
Vdc
REV 1
Motorola Small鈥揝ignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1997
1

BC307C 產品屬性

  • 5,000

  • 分離式半導體產品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 100mA

  • 45V

  • 250mV @ 5mA,100mA

  • 15nA

  • 420 @ 2mA,5V

  • 350mW

  • 280MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標準主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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