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BC214C Datasheet

  • BC214C

  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

  • 4頁

  • ETC

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC212, BC212A, BC212B
BC213, BC213A, BC213B,
BC213C
BC214, BC214B, BC214C
TO-92
Plastic Package
Silicon Small Signal General Purpose Amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation @ Ta=25潞C
Derate Above 25潞C
Power Dissipation @ Tc=25潞C
Derate Above 25潞C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to ambient
Junction to case
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
BC212
50
60
BC213
30
45
5
100
350
2.8
1
8
-55 to +150
BC214
30
45
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/潞C
W
mW/潞C
潞C
R
th(j-a)
R
th(j-c)
357
125
潞C/W
潞C/W
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4

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