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BC212L Datasheet

  • BC212L

  • PNP General Purpose Amplifier

  • 315.29KB

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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BC212L
BC212L
B
C
E
TO-92
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.
Sourced from Process 68.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Value
50
60
5
300
-55 to +150
Units
V
V
V
mA
擄C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150擄C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
胃JC
R
胃JA
Total Device Dissipation
Derate above 25擄C
T
A
= 25擄C unless otherwise noted
Characteristic
Max
625
5.0
83.3
200
Units
mW
mW/擄C
擄C/W
擄C/W
Rev. A 7/24/00
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
漏
2000 Fairchild Semiconductor International

BC212L 產品屬性

  • 2,000

  • 分離式半導體產品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP

  • 300mA

  • 50V

  • 600mV @ 5mA，100mA

  • -

  • 60 @ 2mA，5V

  • 625mW

  • 200MHz

  • 通孔

  • TO-226-3、TO-92-3 標準主體

  • TO-92-3

  • 散裝

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