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BC212, BC212B, BC213,

BC214

Amplifier Transistors

PNP Silicon

http://onsemi.com

COLLECTOR

1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector-Emitter Voltage

BC212

BC213

BC214

Collector-Base Voltage

BC212

BC213

BC214

Emitter-Base Voltage

Collector Current 鈥?Continuous

Total Device Dissipation

@ T

A

= 25擄C

Derate above 25擄C

Total Device Dissipation

@ T

C

= 25擄C

Derate above 25擄C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

V

EBO

I

C

P

D

350

2.8

P

D

1.0

8.0

T

J

, T

stg

鈥?5 to

+150

Watts

mW/擄C

擄C

BC2

1xx

YWW

Unit

擄C/W

擄C/W

BC21xx

xx

Y

WW

= Specific Device Code

= 2, 2B, 3 or 4

= Year

= Work Week

mW

mW/擄C

V

CBO

鈥?0

鈥?5

鈥?5

鈥?.0

鈥?00

Vdc

mAdc

1

2

3

TO鈥?2

CASE 29

STYLE 17

Symbol

V

CEO

鈥?0

鈥?0

鈥?0

Vdc

Value

Unit

Vdc

2

BASE

3

EMITTER

MARKING DIAGRAMS

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Thermal Resistance,

Junction to Case

Symbol

R

胃JA

R

胃JC

Max

357

125

ORDERING INFORMATION

Device

BC212

BC212B

BC212BRL1

BC212BZL1

BC213

BC214

BC214RL1

Package

TO鈥?2

TO鈥?2

TO鈥?2

TO鈥?2

TO鈥?2

TO鈥?2

TO鈥?2

Shipping

5000 Units/Box

5000 Units/Box

2000/Tape & Reel

2000/Ammo Pack

5000 Units/Box

5000 Units/Box

2000/Tape & Reel

漏

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

1

February, 2001 鈥?Rev. 1

Publication Order Number:

BC212/D

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• 型號(hào)
  版本
  描述
  廠商
  下載
• BC210
  英文版
  TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-18
  ETC
  BC210
• BC211
  英文版
  TRANZYSTORY
  ETC
  BC211
• BC211
  英文版
  TRANZYSTORY
  ETC [ETC]
  BC211
• BC212
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  Process 63 PNP Medium Power
  FAIRCHILD
  BC212
• BC212
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