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BC184LB Datasheet

  • BC184LB

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92

  • 4頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
BC184L, BC184LB
BC184LC
TO-92
Plastic Package
General Purpose Amplifier Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
V
CEO
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation @ Ta=25潞C
Derate Above 25潞C
Power Dissipation @ Tc=25潞C
Derate Above 25潞C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
VALUE
30
45
6.0
100
350
2.8
1.0
8.0
-55 to +150
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/潞C
W
mW/潞C
潞C
R
th(j-c)
R
th(j-a)
125
357
潞C/W
潞C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25潞C Unless Specified Otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
I
C
=2mA,I
B
=0
V
CEO
30
Collector -Emitter Voltage
V
CBO
I
C
=10碌A(chǔ).I
E
=0
Collector -Base Voltage
45
Emitter-Base Voltage
Collector-Cut off Current
Emitter-Cut off Current
DC Current Gain
BC184L
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
E
=100碌A(chǔ), I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
I
C
=10碌A(chǔ),V
CE
=5V
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=100mA,V
CE
=5V
100
240
130
6
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
0.2
15
15
800
nA
nA
Continental Device India Limited
Data Sheet
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