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BC167B Datasheet

  • BC167B

  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92

  • 73.65KB

  • 5頁

  • ETC

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC167A, BC167B
BC168A, BC168B, BC168C
BC169B, BC169C
TO-92
Plastic Package
AF Pre and Driver Stages as well as for Universal Application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
V
CEO
Collector -Emitter Voltage
Collector -Emitter Voltage
Emitter -Base Voltage
Collector Current Continuous
Collector Peak Current
Base Current
Power Dissipation @ Ta=25潞C
Storage Junction
Junction Temperature
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
BC167
45
50
6.0
100
200
50
BC168
20
30
5
100
200
50
300
-55 to +150
150
5
BC169
20
30
5
50
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
潞C
潞C
R
th(j-a)
420
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25潞C Unless Specified Otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
BV
CEO
I
C
=2mA,I
B
=0
45
Collector -Emitter Voltage
BC167
BC168, 169
20
Emitter-Base Voltage
BC167
BC168, 169
BV
EBO
I
E
=1碌A, I
C
=0
6
5
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
V
Collector-Cut off Current
BC167
BC168, 169
BC167
BC168, 169
I
CES
V
CE
=50V,V
BE
=0
V
CE
=30V,V
BE
=0
Ta =125潞C
V
CE
=50V,V
BE
=0
V
CE
=30V,V
BE
=0
15
15
4
4
nA
nA
碌A
碌A
Continental Device India Limited
Data Sheet
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