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BB824 Datasheet

  • BB824

  • Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode

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BB824
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode
Features
D
Common cathode
D
High capacitance ratio
Applications
Tuning of separate resonant circuits, push鈥損ull circuits
in FM range, for car radios
94 8550
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
F
T
j
T
stg
Value
20
18
50
125
鈥?5...+150
Unit
V
V
mA
擄
C
擄
C
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse current
Diode capacitance
1
)
Test Conditions
V
R
=16V
V
R
=16V, T
j
=60
擄
C
V
R
=2V
V
R
=8V
Capacitance ratio
Series resistance
1
)
Type
Group 2
Group 3
Group 2
Group 3
V
R
=2V,8V, f=1MHz
V
R
=2V, f=100MHz
Symbol
I
R
I
R
C
D
C
D
C
D
C
D
C
D2
/ C
D8
r
s
Min
Typ
42.5
43.7
17.5
18.0
2.25
Max
20
200
43.8
45
19.2
19.8
2.45
0.5
Unit
nA
nA
pF
pF
pF
pF
W
In the reverse voltage range of V
R
=2...8V for 4 diodes taped in sequence the max. deviation is 3%.
Document Number 85556
Rev. 3, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (3)

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