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BAT63-07WE6811 Datasheet

  • BAT63-07WE6811

  • Silicon Schottky Diode

  • 4頁

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BAT63-07WE6811
Silicon Schottky Diode
Low barrie diode for detectors up to GHz
frequencies
For high-speed switching applications
Zero bias detector diode



BAT63-07W
4
3
D 1
D 2
1
2
ESD
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe handling precaution!
Type
BAT63-07WE6811
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Forward current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
1)
1
For
Package
SOT343
Configuration
parallel pair
L
S
(nH)
Marking
1.6
63s
Symbol
V
R
I
F
P
tot
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
Value
8
100
100
150
-55 ... 150
Unit
V
mA
mW
擄C
calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1


T
S
103 擄C
Value
470
Unit
K/W
Jul-24-2002

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