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BAS16S Datasheet

  • BAS16S

  • Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching appl...

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BAS 16S
Silicon Switching Diode Array
鈥?/div>
For high-speed switching applications
鈥?/div>
Internal (galvanic) isolated Diodes
in one package
Tape loading orientation
4
5
6
2
1
3
VPS05604
Type
BAS 16S
Marking Ordering Code Pin Configuration
A6s
Package
Q62702-A1241 1=A1 2=A2 3=A3 4=C3 5=C2 6=C1 SOT-363
Maximum Ratings
Parameter
Diode reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Surge forward current, t = 1
碌s
Total power dissipation,
T
S
= 85 擄C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Value
75
85
200
4.5
250
150
65 ...+150
mA
A
mW
擄C
Unit
V
V
R
V
RM
I
F
I
FS
P
tot
T
j
T
stg
Thermal Resistance
Junction - ambient
1)
R
thJA
R
thJS
鈮?/div>
530
鈮?/div>
260
K/W
K/W
Junction - soldering point
1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu
Semiconductor Group
Semiconductor Group
1
1
Apr-24-1998
1998-11-01

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  • 型號(hào)
    版本
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    廠商
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  • 英文版
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  • 英文版
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