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BA983 Datasheet

  • BA983

  • Silicon Planar Diodes

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  • VISHAY   VISHAY

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BA982.BA983
Vishay Telefunken
Silicon Planar Diodes
Features
D
D
D
D
Low differential forward resistance
Low diode capacitance
High reverse impedance
Quadro Melf package
Applications
Band switching in VHF鈥搕uners
96 12009
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Reverse voltage
Forward current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Type
Symbol
V
R
I
F
T
j
T
stg
Value
35
100
150
鈥?5...+150
Unit
V
mA
擄
C
擄
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Diode capacitance
Test Conditions
I
F
=100mA
V
R
=20V
f=100MHz, V
R
=1V
f=100MHz, V
R
=3V
f=200MHz, I
F
=3mA
f=200MHz, I
F
=10mA
Type
Symbol
V
F
I
R
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
r
f
Min
Typ
Max
1
50
1.5
1.25
1.2
0.7
1.2
0.5
0.9
Unit
V
nA
pF
pF
pF
Differential forward
resistance
BA982
BA983
BA982
BA983
BA982
BA983
W
W
W
W
Document Number 85534
Rev. 2, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (3)

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