Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 84 N 12...16 RR
Vorl盲ufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchla脽strom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Sto脽strom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I虜t-value
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Pr眉fspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
t
p
= 1ms
t
p
= 1ms
T
C
= 100擄C
T
C
= 84擄C
T
vj
= 25擄C, t
S
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25擄C, t
S
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= - 40擄C...T
vj max
V
RRM
1200, 1400
1600
60
V
I
FRMSM
A
I
d
85
104
650
550
2100
1500
A
A
A
A
A虜s
A虜s
I
FSM
I虜t
V
CES
1200
V
I
C
50
A
I
CRM
100
A
T
C
= 25擄C
P
tot
350
W
V
GE
鹵 20
V
I
F
25
A
I
FRM
50
A
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode
Durchla脽spannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
IGBT
Kollektor-Emitter S盲ttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage
T
vj
= 25擄C, i
C
= 50A, v
GE
= 20V
T
vj
= 125擄C, i
C
= 50A, v
GE
= 20V
T
vj
= 25擄C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
min. typ. max.
v
F
1,55
V
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
T
vj
= T
vj max
r
T
5,5
m鈩?/div>
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
5
mA
v
CE sat
2,5
3,1
4,5
5,5
3,2
V
v
GE(TO)
6,5
V
SDB-MA2; R. J枚rke
22. Jan 99
A 104/97
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