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B5817W Datasheet

  • B5817W

  • Schottky barrier diodes

  • 3頁

  • ETC

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diode
B5817W
FEATURES錛?/div>
Power dissipation
P
D
:
450
mW錛圱amb=25鈩冿級
Collector current
I
F
:
1
A
Collector-base voltage
V
R
:
20
V
Operating and storage junction temperature range
T
J
錛孴
stg
: -55鈩?to +150鈩冦€€
錛戯紟錛愶紩
SCHOTTKY BARRIER DIODE
錛籌集錛わ紞錛戯紥錛?/div>
銆€
錛掞紟錛楋紣
錛戯紟錛?/div>
Unit錛歮m
MARKING錛歋J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
unless
otherwise
specified錛?/div>
Parameter
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Symbol
V
(BR)
I
R
V
F
C
D
Test
I
R
= 1mA
V
R
=20V
I
F
=1A
I
F
=3A
V
R
=4V
conditions
MIN
20
MAX
UNIT
V
1
0.45
0.75
f=1MHz
120
錛愶紟錛曪紩
錛擄紟錛楋紣
錕?frac12;錕斤肌
V
錕?frac12;錕斤雞

B5817W 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 1 : ￥1.91000剪切帶（CT）3,000 : ￥0.33901卷帶（TR）

  • -

  • 卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 在售

  • 肖特基

  • 20 V

  • 1A

  • 450 mV @ 1 A

  • 快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • -

  • 1 mA @ 20 V

  • 120pF @ 4V，1MHz

  • 表面貼裝型

  • SOD-123

  • SOD-123

  • -50°C ~ 150°C

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