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AVF1000 Datasheet

  • AVF1000

  • NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

  • 18.23KB

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  • ASI

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AVF1000
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI AVF1000
is a common base
transistor Designed for pulsed systems
Applications up to 1090 MHz.
PACKAGE STYLE .450 BAL FLG (B)
A
.120 x 45擄
B
1
E D
C
FULL R
FEATURES:
鈥?/div>
Internal Input/Output Matching Networks
鈥?/div>
P
G
= 6.0 dB at 1000W/1090 MHz
鈥?/div>
Omnigold鈩?/div>
Metalization System
M
2
.208
F
.210
I
J K
L
.050 NOM.
G
H
3
4X.060 R
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
JC
65 A
55 V
3.5 V
2900 W @ T
C
25 擄C
-65 擄C to +200 擄C
-65 擄C to +200 擄C
0.06 擄C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
.445 / 11.30
.120 / 3.25
.411 / 10.44
.825 / 20.96
.525 / 13.34
1.255 / 31.88
1.675 / 42.55
.002 / 0.05
.095 / 2.41
.115 / 2.92
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
.373 / 9.47
.205 / 5.21
.385 / 9.78
.130 / 3.30
.421 / 10.69
.865 / 21.97
.535 / 13.59
1.265 / 32.18
1.685 / 42.80
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.135 / 3.43
.250 / 6.35
.457 / 11.61
1 = Collector 2 = Base 3 = Emitter
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
OUT
P
IN
P
G
C
t
r
1
VSRW
I
E
= 50 mA
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 擄C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 1.0 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
65
3.5
10
1000
250
6.0
43
70
9:1
UNITS
V
V
---
W
W
dB
%
ns
F = 1090 MHz
V
CC
= 45 V
PW = 10 碌sec
DF = 1 %
F = 1030 MHz
Note 1: At rated output power and pulse conditions.
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. B
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