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AV1959 Datasheet

  • AV1959

  • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

  • 3頁

  • AVICTEK

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@vic
AV1959
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
AV1959 TRANSISTOR錛?NPN
錛?/div>
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.5 W錛圱amb=25鈩冿級(jí)
Collector current
I
CM
: 0.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 35 V
Operating and storage junction temperature range
T
stg
: -55鈩?to +150鈩?/div>
T
j :
150鈩?/div>
TO鈥?2
1. EMITTER
2.
COLLECTOR
3.BSAE
1
2 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?unless otherwise specified
錛?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown
voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
DC current gain
H
FE(2)
Collector-emitter saturation
voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
V
CE
(sat)
V
BE
V
CE
= 6V, I
C
= 400mA
I
C
= 100mA, I
B
=10mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
= 6 V, I
C
= 20mA
200
25
0.25
1.0
V
V
MHz
Test conditions
Ic= 100
渭
A錛?I
E
=0
Ic= 0. 1 mA錛?I
B
=0
I
E
= 100
渭
A錛?I
C
=0
V
CB
=35 V , I
E
=0
V
EB
= 5 V錛?I
C
=0
V
CE
=1V,
I
C=0
70
MIN
35
30
5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
0.1
0.1
渭
A
渭
A
400
f
T
CLASSIFICATION OF H
FE
Rank
H
FE(1)
Range
H
FE(2)
O
70-140
25(min)
Y
120-240
40(min)
GR
200-400
Copyright 漏 Avic Electronics Corp.
1
Website:
http://www.avictek.com

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