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AS7C33512FT36A-10TQCN Datasheet

  • AS7C33512FT36A-10TQCN

  • 3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

  • 19頁

  • ALSC

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December 2004
廬
AS7C33512FT32A
AS7C33512FT36A
3.3V 512K
脳
32/36 Flow-through synchronous SRAM
Features
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Organization: 524,288 words 脳 32 or 36 bits
Fast clock to data access: 7.5/8.5/10 ns
Fast OE access time: 3.5/4.0 ns
Fully synchronous flow-through operation
Asynchronous output enable control
Available in 100-pin TQFP packages
Individual byte write and global write
Multiple chip enables for easy expansion
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3.3V core power supply
2.5V or 3.3V I/O operation with separate V
DDQ
Linear or interleaved burst control
Snooze mode for reduced power-standby
Common data inputs and data outputs
Logic block diagram
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[18:0]
19
Q0
Burst logic
Q1
19
D
Q
CE
Address
register
CLK
D
DQ
d
Q
Byte write
registers
CLK
D
DQ
Q
c
Byte write
registers
CLK
D
DQ
b
Q
Byte write
registers
CLK
D
DQ
a
Q
Byte write
registers
CLK
D
Enable
CE
register
CLK
Power
down
D
Enable
Q
delay
register
CLK
36/32
DQ[a:d]
Q
4
CLK
CE
CLR
17
19
512K 脳 32/36
Memory
array
GWE
BWE
BW
d
36/32
36/32
BW
c
BW
b
BW
a
CE0
CE1
CE2
OE
Output
buffer
Input
registers
CLK
ZZ
OE
Selection guide
Minimum cycle time
Maximum clock access time
Maximum operating current
Maximum standby current
Maximum CMOS standby current (DC)
-75
8.5
7.5
275
90
60
-85
10
8.5
250
80
60
-10
12
10
230
80
60
Units
ns
ns
mA
mA
mA
12/23/04, v 1.4
Alliance Semiconductor
1 of 19
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