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APT40GF120JRDQ2 Datasheet

  • APT40GF120JRDQ2

  • FAST IGBT & FRED

  • MICROSEMI

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TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT40GF120JRDQ2
1200V
APT40GF120JRDQ2
FAST IGBT & FRED
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch through
technology, the Fast IGBT combined with an Microsemi free wheeling Ultra Fast Recovery
Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.
鈥?Low Forward Voltage Drop
鈥?RBSOA and SCSOA Rated
鈥?High Freq. Switching to 20KHz
鈥?Ultra Low Leakage Current
E
G
C
E
SO
2
T-
27
ISOTOP
廬
"UL Recognized"
file # E145592
鈥?Ultrafast Soft Recovery Anti-parallel Diode
鈥?Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
C
G
E
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
STG
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current @ T
C
= 25擄C
Continuous Collector Current @ T
C
= 100擄C
Pulsed Collector Current
1
All Ratings: T
C
= 25擄C unless otherwise speci鏗乪d.
APT40GF120JRDQ2
UNIT
Volts
1200
鹵30
80
42
150
150A @ 1200V
347
-55 to 150
Amps
Switching Safe Operating Area @ T
J
= 150擄C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Watts
擄C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
V
(BR)CES
V
GE(TH)
V
CE(ON)
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (V
GE
= 0V, I
C
= 500碌A)
Gate Threshold Voltage
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 700碌A, T
j
= 25擄C)
MIN
TYP
MAX
Units
1200
4.5
5.5
2.5
3.1
200
2
2
6.5
3.0
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 50A, T
j
= 25擄C)
Collector-Emitter On Voltage (V
GE
= 15V, I
C
= 50A, T
j
= 125擄C)
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 25擄C)
Volts
I
CES
I
GES
R
G(int)
碌A
nA
鈩?/div>
5-2006
052-6285
Rev B
Collector Cut-off Current (V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
j
= 125擄C)
Gate-Emitter Leakage Current (V
GE
= 鹵20V)
Intergrated Gate Resistor
1500
鹵100
5
CAUTION:
These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
Microsemi Website - http://www.microsemi.com

APT40GF120JRDQ2 產品屬性

  • 10

  • 半導體模塊

  • IGBT

  • -

  • NPT

  • 單一

  • 1200V

  • 3V @ 15V，40A

  • 77A

  • 500µA

  • 3.46nF @ 25V

  • 347W

  • 標準型

  • 無

  • 底座安裝

  • ISOTOP

  • ISOTOP?

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    廠商
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
    ADPOW
  • 英文版
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
    ADPOW [Adv...
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
    ADPOW
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
    ADPOW [Adv...
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs
    ADPOW [Adv...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) |...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) |...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 60A I(D) |...
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    ADPOW [Adv...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
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    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
    ADPOW [Adv...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22.5A I(D)...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22.5A I(D)...
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    ETC

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