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A1015LT1 Datasheet

  • A1015LT1

  • TRANSISTOR (PNP)

  • 2頁(yè)

  • WEITRON   WEITRON

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
A1015LT1
FEATURES
Power dissipation
P
CM
:
0.2
W錛圱amb=25鈩冿級(jí)
Collector current
I
CM
:
-0.15
A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -50
V
Operating and storage junction temperature range
T
J
錛孴
stg
: -55鈩?to +150
SOT鈥?3
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
TRANSISTOR錛?PNP
錛?/div>
錛戯紟錛?/div>
錛掞紟錛?/div>
錛戯紟錛?/div>
錛愶紟錛欙紩
錛掞紟錛?/div>
錛戯紟錛?/div>
錛愶紟錛欙紩
錛愶紟錛?/div>
Unit : mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE(1)
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
unless
Test
otherwise
specified錛?/div>
MIN
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
-0.1
130
400
-0.3
-1.1
80
V
V
MHz
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
conditions
I
E
=0
Ic= -100
渭
A錛?/div>
Ic= -0.1mA錛?I
B
=0
I
E
= -10渭A錛?I
C
=0
V
CB
=-50 V , I
E
=0
V
CE
= -50 V , I
B
=0
V
EB
=- 5V ,
I
C
=0
渭
A
渭
A
銆€
渭
A
V
CE
=-6V, I
C
= -2mA
I
C
=-100 mA, I
B
= -10m A
I
C
=-100 mA, I
B
= -10m A
V
CE
=-10V,
I = -1mA
C
f
T
f=
30MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
錛詫拷½錕斤拷½錕斤拷½錕姐€€
錛詫拷½錕斤拷½錕斤拷½錕斤拷½錕姐€€銆€
MARKING銆€
錛€€
錛戯紦錛愶紞錛掞紣錛愩€€
BA銆€
錛ㄣ€€
錛掞紣錛愶紞錛旓紣錛愩€€

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