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72231 Datasheet

  • 72231

  • Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

  • 45.00KB

  • 5頁

  • VISHAY   VISHAY

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Si6911DQ
New Product
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(W)
0.026 @ V
GS
= -4.5 V
-12
0.035 @ V
GS
= -2.5 V
0.046 @ V
GS
= -1.8 V
D
TrenchFETr Power MOSFETS
I
D
(A)
-5.1
-4.5
-3.9
APPLICATIONS
D
Load Switch
D
Battery Switch
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
Ordering Information: Si6911DQ T-1
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
D
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current (10
ms
Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
10 secs
-12
"8
-5.1
Steady State
Unit
V
-4.3
-3.5
-30
A
-0.7
0.83
0.53
-55 to 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
-4.1
-1.0
1.14
0.73
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
t
v
10 sec
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1鈥?x 1鈥?FR4 Board.
Document Number: 72231
S-31064鈥擱ev. A, 26-May-03
www.vishay.com
Steady State
Steady State
R
thJA
R
thJF
Symbol
Typical
86
124
59
Maximum
110
150
75
Unit
_C/W
C/W
1

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