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6AM15 Datasheet

  • 6AM15

  • Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching

  • 14頁

  • HITACHI

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6AM15
Silicon N/P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-719 (Z)
1st. Edition
February 1999
Features
鈥?/div>
Low on-resistance
N Channel : RDS(on) = 0.045
鈩?/div>
typ.
P Channel : RDS(on) = 0.085
鈩?/div>
typ.
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
High density mounting
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