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50GD120DN2G Datasheet

  • 50GD120DN2G

  • IGBT Module

  • 232.14KB

  • 9頁

  • ETC

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BSM 50 GD 120 DN2G
IGBT Power Module
鈥?Power module
鈥?3-phase full-bridge
鈥?Including fast free-wheel diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 50 GD 120 DN2G
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
P
tot
400
+ 150
-40 ... + 125
鈮?/div>
0.35
鈮?/div>
0.7
2500
16
11
F
40 / 125 / 56
sec
Vac
mm
K/W
擄C
I
Cpuls
156
100
W
V
GE
I
C
78
50
Symbol
V
CE
V
CGR
1200
鹵 20
A
Values
1200
Unit
V
V
CE
I
C
Package
ECONOPACK 3
Ordering Code
C67070-A2521-A67
1200V 78A
1
Oct-01-2003

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