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4AM17 Datasheet

  • 4AM17

  • Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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  • HITACHI

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4AM17
Silicon N/P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-729 (Z)
1st. Edition
February 1999
Features
鈥?/div>
Low on-resistance
N Channel:
R
DS(on)
鈮?.17 鈩?
V
GS
= 10 V, I
D
= 4 A
P Channel : R
DS(on)
鈮?/div>
0.2
鈩?
V
GS
= 鈥?0 V, I
D
= 鈥? A
鈥?/div>
4 V gate drive devices.
鈥?/div>
High density mounting
Outline
SP-12
12
1
G
2
D
5
G
4
D
8
G
9
D
12
G
11
D
34
56
78
910
1112
S 3
S 6
S 7
S 10
1, 5, 8, 12. Gate
2, 4, 9, 11. Drain
3, 6, 7, 10. Source

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    Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
    HITACHI
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    Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
    HITACHI [H...
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    ETC
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    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS |...
    ETC
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    ETC
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