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4AK19 Datasheet

  • 4AK19

  • Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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  • HITACHI

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4AK19
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-727 (Z)
1st. Edition
February 1999
Features
鈥?/div>
Low on-resistance
N Channel:
R
DS(on)
鈮?/div>
0.5
鈩?
V
GS
= 10 V, I
D
= 2.5 A
R
DS(on)
鈮?/div>
0.6
鈩?
V
GS
= 4 V, I
D
= 2.5 A
鈥?/div>
4 V gate drive devices.
鈥?/div>
High density mounting
Outline
SP-10
3
D
2G
4
G
5
D
6
G
7
D
8
G
9
D
12
34
56
78
9 10
1 S
S 10
1, 10.
Source
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain

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    HITACHI [H...
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    HITACHI [H...
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