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400GA120DN2 Datasheet

  • 400GA120DN2

  • IGBT Module

  • 144.04KB

  • 10頁

  • ETC

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BSM 400 GA 120 DN2
IGBT Power Module
鈥?Single switch
鈥?Including fast free-wheeling diodes
鈥?Package with insulated metal base plate
Type
BSM 400 GA 120 DN2
BSM 400 GA 120 DN2 S
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k鈩?/div>
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 擄C
T
C
= 80 擄C
V
CE
I
C
Package
SINGLE SWITCH
SSW SENSE 1
Ordering Code
C67070-A2302-A70
C67070-A2308-A70
1200V 550A
1200V 550A
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
1200
Unit
V
V
GE
I
C
鹵 20
A
550
400
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 擄C
T
C
= 125 擄C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 擄C
Chip temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
I
Cpuls
1100
800
P
tot
2700
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
+ 150
-40 ... + 125
鈮?/div>
0.045
鈮?/div>
0.09
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
sec
Vac
mm
K/W
擄C
W
1
Oct-30-1997

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