ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
錛?/div>
1
錛?/div>
DC current gain
h
FE
錛?/div>
2
錛?/div>
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Fall time
Storage time
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
V
CE
=5 V, I
C
=5A
I
C
=2A,I
B
=0.4A
I
C
=2A, I
B
= 0.4A
Ic=500mA,V
CE
=10V
f=1MH
Z
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
123
unless
Test
otherwise
specified錛?/div>
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
1
100
8
5
40
30
1
1.2
4
80
0.7
3
V
V
MH
Z
mA
碌A(chǔ)
conditions
MIN
700
400
9
Ic= 1mA錛孖
E
=0
Ic= 10m A錛孖
B
=0
I
E
= 1mA錛孖
C
=0
V
CB
= 700V錛?I
E
=0
V
EB
= 9 V錛?I
C
=0
V
CE
= 5V, I
C
= 2 A
C
ob
t
f
t
s
V
CE
=10,I
E
=0錛?/div>
f=0.1MHz
Vcc=125V, Ic=5A
I
B1
=-I
B2
=1A
pF
碌s
碌s
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
3DD13007相關(guān)型號PDF文件下載
-
型號
版本
描述
廠商
下載
-
英文版
3DD1128硅NPN型功率開關(guān)晶體管
ETC
-
英文版
3DD1128硅NPN型功率開關(guān)晶體管
-
英文版
3DD127D硅NPN型功率開關(guān)晶體管
ETC
-
英文版
3DD127D硅NPN型功率開關(guān)晶體管
-
英文版
3DD128D硅NPN型功率開關(guān)晶體管=BUL128
ETC
-
英文版
3DD128D硅NPN型功率開關(guān)晶體管=BUL128
-
英文版
3DD128F主要用于低壓電子鎮(zhèn)流器中作功率開關(guān)
ETC
-
英文版
3DD128F主要用于低壓電子鎮(zhèn)流器中作功率開關(guān)
-
英文版
3DD1545硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1545
ETC
-
英文版
3DD1545硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1545
無
-
英文版
硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1555
ETC
-
英文版
硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1555
-
英文版
硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1556
ETC
-
英文版
硅NPN型高反壓大功率晶體管=2SD1556
-
英文版
-
英文版
TO 92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
ETC
-
英文版
Plastic-Encapsulated Transistors
TRSYS
-
英文版
TO 92 PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
ETC [ETC]
-
英文版
TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors
ETC
-
英文版
Plastic-Encapsulated Transistors
TRSYS
1
2
3
