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2SK3760 Datasheet

  • 2SK3760

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...

  • 86.82KB

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2SK3760
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS鈪?
2SK3760
unit錛氾拷½錕斤拷½錕?/div>
Switching Regulator Applications
3.84鹵0.2
3.84鹵0.2
10.5 max
10.5 max
4.7
max
4.7
max
1.3
6.6 max
6.6 max.
1.3
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 1.7惟 (typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 2.5S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100
渭A
(V
DS
= 600 V)
Enhancement-mode: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
13.4 min
13.4 min.
3.9 max
3.9 max.
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 k鈩?
Gate-source voltage
DC
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
A S
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Pulse (t
=
1 ms)
(Note 1)
Rating
600
600
鹵30
3.5
14
60
6.3
3.5
6
150
-55~150
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
Unit
V
V
V
A
15.6
max.
15.6
max
2.7
1.5
max
1.5
max
0.81
max
0.81
0.45
0.45
2.7
2.54
2.54
2.7
1
2
3
Drain power dissipation (Tc
=
25擄C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
1.
2.
3.
Gate
Drain(HEAT SINK)
Source
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
TO-220AB
SC-46
鈥?/div>
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
R
th (ch-c)
R
th (ch-a)
Max
2.08
83.3
Unit
擄C/W
擄C/W
Weight : 2.0g(typ.)
2
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150擄C.
Note 2: V
DD
=
90 V, T
ch
=
25擄C(initial), L
=
0.9 mH, I
AR
=
3.5 A, R
G
=
25
鈩?/div>
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
3
1
1
2004-02-26

2SK3760 產(chǎn)品屬性

  • 3.5A

  • 600V

  • 2.2ohm

  • 10V

  • 4V

  • 60W

  • TO-220AB

  • 60W

  • TO-220AB

  • 10V

  • 600V

  • 14A

  • 通孔安裝

2SK3760相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC
  • 英文版
    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
    HITACHI
  • 英文版
    Low-Frequency Amp Applications
    SANYO
  • 英文版
    Small switching (30V, 0.1A)
    ROHM
  • 英文版
    Silicon N-Channel Power F-MOS FET
    PANASONIC
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [Toshib...
  • 英文版
    ETC [2SK33]
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Sony Corporation [2SK300]
    SONY
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC [Pana...
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [ Tosh...
  • 英文版
    FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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