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2SK3669 Datasheet

  • 2SK3669

  • Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor Drive Ap...

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  • TOSHIBA

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2SK3669
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (蟺-MOS VII)
2SK3669
Switching Regulators, for Audio Amplifier and Motor
Drive Applications
路
路
路
路
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 95 m鈩?(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 6 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
100
碌A(chǔ) (max) (V
DS
=
100
V)
Enhancement-mode : V
th
= 3.0 to 5.0 V (V
DS
=
10
V, I
D
=
1
mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
DC
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
IDP
P
D
E
AS
I
AR
(Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
100
100
鹵20
10
15
28
20
280
10
2
150
-55
to 150
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
A
Unit
V
V
V
Pulse (t
w
鈮?/div>
10 ms)
(Note 1)
Pulse (t
w
鈮?/div>
1 ms)
(Note 1)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-7J1B
Drain power dissipation (Tc
=
25擄C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy
Weight: 0.36 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to
ambient
Symbol
R
th (ch鈭抍)
R
th (ch鈭抋)
Max
6.25
125
Unit
擄C/ W
擄C/ W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is
below 150擄C.
Note 2: V
DD
=
50 V, T
ch
=
25擄C (initial), L
=
3.44 mH, I
AR
=
10 A, R
G
=
25
W
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
2003-03-12

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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