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2SK3564 Datasheet

  • 2SK3564

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...

  • 3頁

  • TOSHIBA

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TENTATIVE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (蟺-MOSIV)
2SK3564
2SK3564
unit錛氾拷½錕斤拷½錕?/div>
Switching Regulator Applications
10鹵0.3
蠁3.2鹵0.2
2.7鹵0.2
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 k鈩?
Gate-source voltage
DC
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
900
900
鹵30
3
9
40
TBD
3
4.0
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
Unit
0.69鹵0.15
2.8Max
V
V
V
2.54鹵0.25
0.64鹵0.15
2.54鹵0.25
1 2 3
2.6
12.5 Min.
4.5鹵0.2
1.1
1.1
Pulse (t
=
1 ms)
(Note 1)
Drain power dissipation (Tc
=
25擄C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
1.
2.
3.
Gate
Drain
Source
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
2
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
R
th (ch-c)
R
th (ch-a)
Max
3.125
62.5
Unit
擄C/W
擄C/W
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150擄C.
Note 2: V
DD
=
90 V, T
ch
=
25擄C, L
=
TBD mH, I
AR
=
3.0 A, R
G
=
25
鈩?/div>
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
15.0鹵0.3
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 3.7惟 (typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 2.6 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100
渭A
(V
DS
= 720 V)
Enhancement-mode: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
3.9 3.0
3
1
2003-02-14

2SK3564 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 900V

  • 3A

  • 4.3 歐姆 @ 1.5A，10V

  • 4V @ 1mA

  • 17nC @ 10V

  • 700pF @ 25V

  • 40W

  • 通孔

  • TO-220-3 整包

  • TO-220SIS

  • 管件

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC
  • 英文版
    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
    HITACHI
  • 英文版
    Low-Frequency Amp Applications
    SANYO
  • 英文版
    Small switching (30V, 0.1A)
    ROHM
  • 英文版
    Silicon N-Channel Power F-MOS FET
    PANASONIC
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [Toshib...
  • 英文版
    ETC [2SK33]
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Sony Corporation [2SK300]
    SONY
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC [Pana...
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [ Tosh...
  • 英文版
    FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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