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2SK3374 Datasheet

  • 2SK3374

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...

  • 6頁

  • TOSHIBA

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2SK3374
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (F-MOSV)
2SK3374
Switching Regulator Applications
路
路
路
路
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 4.0
W
(typ.)
High forward transfer admittance:
茂Y
fs
茂
= 0.8 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100 碌A (max) (V
DS
= 450 V)
Enhancement-model: V
th
= 2.0 to 4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC
Pulse
(Note 1)
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
450
450
鹵30
1
2
1.3
122
1
0.13
150
-55
to150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
Drain power dissipation
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-8M1B
Weight: 0.54 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
R
th (ch-a)
Max
96.1
Unit
擄C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150擄C.
Note 2: V
DD
=
90 V, T
ch
=
25擄C (initial), L
=
203 mH, R
G
=
25
W,
I
AR
=
1 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
2002-08-09

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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  • 英文版
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    HITACHI
  • 英文版
    Low-Frequency Amp Applications
    SANYO
  • 英文版
    Small switching (30V, 0.1A)
    ROHM
  • 英文版
    Silicon N-Channel Power F-MOS FET
    PANASONIC
  • 英文版
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  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
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