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2SK3332 Datasheet

  • 2SK3332

  • MOSFET

  • 1頁(yè)

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

2SK3332
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
Tch
Tstg
Ratings
150
+20, 鈥?0
鹵12
鹵48
30 (Tc = 25潞C)
100
12
150
鈥?5 to +150
(Ta = 25潞C)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(yfs)
R
DS(on)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
潞C
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
t
rr
1.0
6
11
150
170
870
320
210
20
50
85
40
1.0
500
1.5
200
230
min
150
Ratings
typ
max
鹵100
100
2.0
Unit
V
nA
碌A(chǔ)
V
S
m鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
SD
= 12A, V
GS
= 0V
I
SD
=
鹵100mA
(Ta = 25潞C)
Unit
V
V
A
A
W
mJ
A
潞C
Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
= +20V, 鈥?0V
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 10V, I
D
= 6A
V
GS
= 10V, I
D
= 6A
V
GS
= 4V,
I
D
= 6A
V
DS
= 10V, f = 1.0MHz,
V
GS
= 0V
I
D
= 6A, V
DD
70V,
R
L
= 12鈩? V
GS
= 10V,
See Figure 2 on Page 5.
1:
W
duty cycle 1%
*
2: P
DD
=100碌s,L = 1.2mH, I
L
= 12A,
V
25V,
*
See Figure 1 on Page 5.
unclamped, R
G
= 50鈩?
I
D
鈥?V
DS
Characteristics
(typical)
12
10V
10
8
3.2V
3.0V
2.8V
2.6V
V
GS
= 2.4V
0
0
2
4
6
8
10
3.4V
I
D
鈥?V
GS
Characteristics
(typical)
12
V
DS
=10V
10
R
DS(ON)
鈥?I
D
Characteristics
(typical)
250
V
GS
= 4V
200
R
DS (ON)
(m鈩?
8
I
D
(A)
6
4
2
I
D
(A)
150
100
50
0
V
GS
=10V
6
T
C
=125擄C
4
2
0
25擄C
鈥?55擄C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
Re
(yfs)
鈥?I
D
Characteristics
(typical)
50
V
DS
=10V
T
C
= 鈥?55擄C
25擄C
125擄C
V
DS
鈥?V
GS
Characteristics
(typical)
10
8
R
DS(ON)
鈥?T
C
Characteristics
(typical)
450
400
I
D
=6A
10
R
DS (ON)
(m鈩?
V
GS
= 4V
300
V
GS
=10V
200
Re
(yfs)
(S)
V
DS
(V)
6
1
4
I
D
=12A
I
D
=6A
2
0.1
0.05 0.1
0
0.5
1
5
10 20
2
5
10
100
20
0
鈥?0
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
Tc (潞C)
Capacitance 鈥?V
DS
Characteristics
(typical)
5000
V
GS
= 0V
f =1MHz
Ciss
I
DR
鈥?V
SD
Characteristics
(typical)
12
10
Safe Operating Area
50
I
D
(pulse)max
I
D
max
10
5
DS
N)
(O
(Tc = 25潞C)
10
P
D
鈥?Ta Characteristics
30
Capacitance (pF)
1000
500
8
I
D
(A)
6
4
2
M
LI
P
D
(W)
I
DR
(A)
R
IT
ED
100
50
Coss
Crss
5V,10V
1
0.5
V
GS
= 0V
0.5
1.0
1.5
0.1
1
0
碌
s(
1s
ho
s(
t)
1s
10
ho
m
t)
s(
1s
DC
ho
t)
OP
ER
AT
IO
N
1m
W
ith
in
fin
20
ite
he
at
sin
k
10
Without heatsink
5
10
50 100 200
0
0
50
100
150
10
0
10
20
30
40
50
0
0
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
Ta (潞C)
49

2SK3332相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC
  • 英文版
    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
    HITACHI
  • 英文版
    Low-Frequency Amp Applications
    SANYO
  • 英文版
    Small switching (30V, 0.1A)
    ROHM
  • 英文版
    Silicon N-Channel Power F-MOS FET
    PANASONIC
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [Toshib...
  • 英文版
    ETC [2SK33]
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC
  • 英文版
    2SK34
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Sony Corporation [2SK300]
    SONY
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC
  • 英文版
    SI N CHANNEL JUCTION
    PANASONIC [Pana...
  • 英文版
    N CHANNEL MOS TYPE (FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [ Tosh...
  • 英文版
    FM TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Low-Frequency General-Purpose Amp Applications
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC

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