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2SK2848 Datasheet

  • 2SK2848

  • MOSFET

  • 1頁

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

2SK2848
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
Tch
Tstg
Ratings
600
鹵30
鹵2
鹵8
30 (Tc = 25潞C)
10
2
150
鈥?5 to +150
(Ta = 25潞C)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
A
A
W
mJ
A
潞C
潞C
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (on)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
2.0
1.2
3.0
1.7
3.0
290
70
30
16
30
45
145
0.9
1.4
3.8
min
600
Ratings
typ
max
鹵100
100
4.0
Unit
V
nA
碌A(chǔ)
V
S
鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
SD
= 2.0A, V
GS
= 0V
I
D
= 1A, V
DD
250V,
R
L
= 250鈩? V
GS
= 10V,
See Figure 2 on Page 5.
(Ta = 25潞C)
Unit
V
V
Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵30V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 20V, I
D
= 1A
V
GS
= 10V, I
D
= 1A
V
DS
= 10V, f = 1.0MHz,
V
GS
= 0V
duty cycle 1%
W
*
1: P
DD
=100碌s,L = 5mH, I
L
= 2.0A,
2: V
30V,
*
See Figure 1 on Page 5.
unclamped, R
G
= 50鈩?
V
DS
鈥?I
D
Characteristics
2.0
10V
1.5
5V
5.5V
1.5
2.0
V
GS
鈥?I
D
Characteristics
4
V
DS
= 20V
3
I
D
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
V
GS
= 10V
R
DS (ON)
(鈩?
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
0
2
4
6
8
I
D
(A)
I
D
(A)
1.0
1.0
2
0.5
4.5V
V
GS
= 4V
0.5
1
0
0
5
10
15
20
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
鈥?Re
(yfs)
Characteristics
5
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
1
20
V
DS
= 20V
15
V
GS
鈥?V
DS
Characteristics
8
T
C
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
6
10
I
D
= 2A
R
DS (ON)
(鈩?
20
Re
(yfs)
(S)
V
DS
(V)
4
0.5
5
I
D
= 1A
2
0.2
0.05
0
0.1
0.5
1
2
4
5
10
0
鈥?0
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
Tc (潞C)
V
DS
鈥?Capacitance Characteristics
1000
500
V
GS
= 0V
f = 1MHz
Ciss
2.0
V
SD
鈥?I
DR
Characteristics
10
5
1.5
Safe Operating Area
I
D
(pulse) max
I
D
max
LI
M
IT
ED
1m
s
(1
(Tc = 25潞C)
0
碌
s
Ta 鈥?P
D
Characteristics
30
10
(1
sh
Capacitance (pF)
I
DR
(A)
I
D
(A)
O
100
50
Coss
1.0
V
GS
= 0V
5V,10V
0.5
PE
P
D
(W)
1
0.5
R
D
S
N)
(O
ot
)
W
DC
sh
ith
ot
)
20
in
fin
RA
ite
TI
he
O
N
at
sin
10
0.1
0.05
0.03
Without heatsink
3
5
10
50 100
500 700
0
0
50
k
Crss
10
0
10
20
30
40
50
0
0
0.5
1.0
1.5
100
150
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
Ta (潞C)
44

2SK2848 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 不適用于新設(shè)計

  • -

  • 散裝

  • 不適用于新設(shè)計

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 600 V

  • 2A（Ta）

  • 10V

  • 3.8 歐姆 @ 1A，10V

  • 4V @ 250μA

  • -

  • ±30V

  • 290 pF @ 10 V

  • -

  • 30W（Tc）

  • 150°C（TJ）

  • 通孔

  • TO-220F

  • TO-220-3 整包

2SK2848相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18V V(BR)DSS | 600NA I(DSS)
    ETC
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...

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