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2SK2779 Datasheet

  • 2SK2779

  • MOSFET

  • 1頁

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

2SK2779
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
Tch
Tstg
Ratings
100
鹵20
鹵20
鹵80
35 (Tc = 25潞C)
200
20
150
鈥?5 to +150
(Ta = 25潞C)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (on)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
潞C
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
1.0
12
20
60
75
1630
480
180
20
90
120
55
1.0
1.5
80
95
min
100
Ratings
typ
max
鹵100
100
2.0
Unit
V
nA
碌A(chǔ)
V
S
m鈩?/div>
m鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
SD
= 20A, V
GS
= 0V
I
D
= 10A, V
DD
50V,
R
L
= 5鈩? V
GS
= 10V,
See Figure 2 on Page 5.
(Ta = 25潞C)
Unit
V
V
A
A
W
mJ
A
潞C
Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵20V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 10V, I
D
= 10A
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
V
GS
= 4V,
I
D
= 10A
V
DS
= 10V, f = 1.0MHz,
V
GS
= 0V
duty cycle 1%
W
*
1: P
DD
=100碌s,L = 750碌H, I
L
= 20A,
2: V
25V,
*
See Figure 1 on Page 5.
unclamped, R
G
= 50鈩?
V
DS
鈥?I
D
Characteristics
20
10V
4V
15
3.5V
3V
15
20
V
GS
鈥?I
D
Characteristics
80
V
DS
= 10V
60
I
D
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
V
GS
= 4V
V
GS
= 10V
R
DS (ON)
(m鈩?
2
3
4
I
D
(A)
I
D
(A)
10
10
T
C
= 鈥?5潞C
5
25潞C
125潞C
40
5
2.5V
20
0
V
GS
= 2V
0
2
4
6
8
10
0
0
1
0
0
5
10
15
20
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
鈥?Re
(yfs)
Characteristics
50
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
2.5
V
DS
= 10V
2.0
V
GS
鈥?V
DS
Characteristics
150
T
C
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
I
D
= 10A
R
DS (ON)
(m鈩?
V
GS
= 4V
100
V
GS
= 10V
50
Re
(yfs)
(S)
5
V
DS
(V)
10
1.5
I
D
= 20A
1.0
I
D
= 10A
1
0.5
0.05 0.1
0.5 1
5
10 20
0.5
0
2
5
10
20
0
鈥?0
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
Tc (潞C)
V
DS
鈥?Capacitance Characteristics
5000
V
GS
= 0V
f = 1MHz
Ciss
1000
20
V
SD
鈥?I
DR
Characteristics
100
50
15
5V
10
Safe Operating Area
I
D
(pulse) max
I
D
max
(Tc = 25潞C)
10
0
碌
s
Ta 鈥?P
D
Characteristics
40
Capacitance (pF)
P
D
(W)
I
DR
(A)
R
DS
(O
N)
M
LI
ED
IT
DC
10
m
s
1m
s
O
30
W
ith
in
I
D
(A)
5
500
Coss
10
PE
RA
fin
TI
O
20
ite
N
he
at
sin
1
5
V
GS
= 0V
0.5
10
Without heatsink
50
0
0
0.5
1.0
1.5
0.1
0.5 1
5
10
50 100 200
0
0
50
k
100
50
0
10
20
30
Crss
40
100
150
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
Ta (潞C)
40

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18V V(BR)DSS | 600NA I(DSS)
    ETC
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...

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