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2SK2710 Datasheet

  • 2SK2710

  • MOSFET

  • 38.28KB

  • 1頁

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

2SK2710
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
Tch
Tstg
Ratings
600
鹵30
鹵12
鹵48
85 (Tc = 25潞C)
400
12
150
鈥?5 to +150
(Ta = 25潞C)
External dimensions 2 ...... FM100
Electrical Characteristics
Symbol
V
(BR) DSS
I
GSS
I
DSS
A
A
W
mJ
A
潞C
潞C
V
TH
Re
(yfs)
R
DS (on)
Ciss
Coss
Crss
t
d (on)
t
r
t
d (off)
t
f
V
SD
2.0
7.5
3.0
11
0.42
1900
410
240
35
45
160
70
0.95
1.5
0.55
min
600
Ratings
typ
max
鹵100
100
4.0
Unit
V
nA
碌A(chǔ)
V
S
鈩?/div>
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
SD
= 12A, V
GS
= 0V
I
D
= 6A, V
DD
= 250V,
R
L
= 20.8鈩? V
GS
= 10V,
See Figure 2 on Page 5.
(Ta = 25潞C)
Unit
V
V
Conditions
I
D
= 100碌A(chǔ), V
GS
= 0V
V
GS
=
鹵30V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
V
DS
= 20V, I
D
= 6A
V
GS
= 10V, I
D
= 6A
V
DS
= 10V, f = 1.0MHz,
V
GS
= 0V
duty cycle 1%
W
*
1: P
DD
=100碌s,L = 5.5mH, I
L
= 12A,
2: V
30V,
*
See Figure 1 on Page 5.
unclamped, R
G
= 50鈩?
V
DS
鈥?I
D
Characteristics
12
10V
10
8
5.5V
10
12
V
GS
鈥?I
D
Characteristics
0.5
V
DS
= 20V
0.4
I
D
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
V
GS
= 10V
R
DS (ON)
(鈩?
8
I
D
(A)
I
D
(A)
0.3
6
5V
4
2
0
6
4
2
0
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
0.2
0.1
0
V
GS
= 4.5V
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
鈥?Re
(yfs)
Characteristics
20
V
DS
= 20V
10
T
C
= 鈥?5潞C
25潞C
125潞C
8
10
V
GS
鈥?V
DS
Characteristics
1.2
1.0
T
C
鈥?R
DS (ON)
Characteristics
I
D
= 6A
V
GS
= 10V
V
DS
(V)
6
I
D
= 12A
R
DS (ON)
(鈩?
20
Re
(yfs)
(S)
5
0.8
0.6
0.4
0.2
0
4
I
D
= 6A
2
1
0.5
0.3
0.05 0.1
0
0.5
1
5
12
4
5
10
鈥?0
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
Tc (潞C)
V
DS
鈥?Capacitance Characteristics
10000
5000
V
GS
= 0V
f = 1MHz
Ciss
1000
500
Coss
Crss
100
50
0
10
20
30
40
50
12
10
V
SD
鈥?I
DR
Characteristics
50
Safe Operating Area
I
D
(pulse) max
I
D
max
N)
(O
(Tc = 25潞C)
(1
sh
ot
)
Ta 鈥?P
D
Characteristics
90
80
70
W
Capacitance (pF)
M
LI
IT
ED
10
0
碌
s
10
8
I
DR
(A)
I
D
(A)
6
V
GS
= 0V
4
2
0
0
5V,10V
OP
E
P
D
(W)
5
R
D
S
1m
s
DC
(1
sh
ot
)
60
50
40
30
20
10
ith
f
in
i
in
RA
T
te
he
1
0.5
IO
N
s
at
in
k
Without heatsink
0
50
100
150
0.5
1.0
1.5
0.1
3
5
10
50 100
500 700
0
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
Ta (潞C)
38

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18V V(BR)DSS | 600NA I(DSS)
    ETC
  • 英文版
    GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROP...
    Toshiba
  • 英文版
    AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
    HITACHI [H...

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