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2SK2488 Datasheet

  • 2SK2488

  • MOS Field Effect Transistor

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK2488
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2488 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed
for high voltage switching applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
FEATURES
R
DS (on)
= 1.2
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 5.0 A)
1.0
鈥?/div>
Low On-Resistance
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 2 900 pF TYP.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D (DC)
I
D (pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
900
鹵30
鹵10
鹵20
150
3.0
150
10
294
V
V
A
A
W
W
藲C
15.7 MAX.
4
3.2鹵0.2
4.7 MAX.
1.5
7.0
20.0鹵0.2
6.0
1
19 MIN.
3.0鹵0.2
2
3
2.2鹵0.2
5.45
1.0鹵0.2
5.45
4.5鹵0.2
0.6鹵0.1
2.8鹵0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
鈥?5 to +150 藲C
A
mJ
MP-88
Drain
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
Gate
Body
Diode
Source
Document No. D10284EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
漏
1995

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  • 型號
    版本
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    廠商
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    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    HITACHI
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    HITACHI [H...
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    hitachi
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