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2SK2369 Datasheet

  • 2SK2369

  • SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

  • 8頁

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
2SK2369/2SK2370
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis-
tor designed for high voltage switching applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
蠁
3.0 鹵 0.2
1.0
15.7 MAX
4
4.7 MAX.
1.5
FEATURES
鈥?/div>
Low On-Resistance
2SK2370: R
DS(on)
= 0.4
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 10 A)
20.0 鹵 0.2
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 2400 pF TYP
.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage(2SAK2369/2370) V
DSS
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
450/500
鹵30
鹵20
鹵80
140
3.0
150
20
285
V
V
A
A
W
W
藲C
A
mJ
1
2
3
19 MIN.
3.0 鹵 0.2
2.2 鹵 0.2
5.45
1.0 鹵 0.2
5.45
4.5 鹵 0.2
6.0
0.6 鹵 0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
鈥?5 to +150 藲C
MP-88
Drain
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
Body
Diode
Gate
Source
Document No. TC-2507
(O. D. No. TC-8066)
Date Published January 1995 P
Printed in Japan
漏
7.0
2.8 鹵 0.1
2SK2369: R
DS(on)
= 0.35
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 10 A)
1995

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  • 型號
    版本
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    廠商
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    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
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    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    hitachi
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