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2SK2361 Datasheet

  • 2SK2361

  • SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

  • 8頁

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
2SK2361/2SK2362
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high voltage switching applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
4.7 MAX.
1.5
7.0
1.0鹵0.2
5.45
4.5鹵0.2
0.6鹵0.1
2.8鹵0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
FEATURES
鈥?/div>
Low On-Resistance
2SK2361: R
DS (on)
= 0.9
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 5.0 A)
2SK2362: R
DS (on)
= 1.0
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 5.0 A)
1.0
15.7 MAX.
4
3.2鹵0.2
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 1050 pF TYP.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage (2SK2361/2SK2362)
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D (DC)
I
D (pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
450/500
鹵30
鹵10
鹵40
100
3.0
150
10
142
V
V
A
A
W
W
藲C
20.0鹵0.2
6.0
1
19 MIN.
3.0鹵0.2
2
3
2.2鹵0.2
5.45
MP-88
Drain
鈥?5 to +150 藲C
A
mJ
Gate
Body
Diode
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
Source
Document No. TC-2502
(O. D. No. TC-8061)
Date Published December 1994 P
Printed in Japan
1995

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    Toshiba
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    Toshiba
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    N-Channel Junction Silicon FET
    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI
  • 英文版
    Silicon N-Channel MOS FET
    HITACHI [H...
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    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
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    Sanyo
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