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2SK2359 Datasheet

  • 2SK2359

  • SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

  • 8頁

  • NEC   NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS
2SK2359/2SK2360
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel
MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching
3.0 鹵 0.3
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
10.6 MAX.
3.6 鹵 0.2
10.0
5.9 MIN.
12.7 MIN. 15.5 MAX.
applications.
4.8 MAX.
1.3 鹵 0.2
FEATURES
鈥?/div>
Low On-Resistance
2SK2359: R
DS(on)
= 0.9
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 4.0 A)
2SK2360: R
DS(on)
= 1.0
鈩?/div>
(V
GS
= 10 V, I
D
= 4.0 A)
4
1 2 3
6.0 MAX.
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 1050 pF TYP
.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage(2SK2359/2SK2360) V
DSS
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
450/500
鹵30
鹵7.0
鹵28
75
1.5
150
7.0
17
V
V
A
A
W
藲C
A
mJ
1.3 鹵 0.2
0.75 鹵 0.1
2.54
0.5 鹵 0.2
2.8 鹵 0.2
2.54
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
JEDEC: TO-220AB
MP-25 (TO220)
(10.0)
1.5 MAX.
4
4.8 MAX.
1.3 鹵 0.2
鈥?5 to +150 藲C
1.0 鹵 0.5
1.4 鹵 0.2
1.0 鹵 0.3
(2.54) (2.54)
1 2 3
1.1 鹵 0.4
3.0 鹵 0.5
8.5 鹵 0.2
)
5R )
0. .8R
( 0
(
W
0.5 鹵 0.2
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
2.8 鹵 0.2
1.
2.
3.
4.
Gate
Drain
Source
Fin (Drain)
MP-25Z (SURFACE MOUNT TYPE)
Drain
Body
Diode
Gate
Source
Document No. TC-2501
(O. D. No. TC-8060)
Date Published February 1995 P
Printed in Japan
1995

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    Toshiba
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    Sanyo
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
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    HITACHI [H...
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    HITACHI
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    HITACHI [H...
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