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2SJ681 Datasheet

  • 2SJ681

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (...

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2SJ681
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U鈭扢OSIII)
2SJ681
Relay Drive, DC鈭扗C Converter and Motor Drive
Applications
錛栵紟錛暵憋紣錛庯紥
錛曪紟錛捖憋紣錛庯紥
錛戯紟錛暵憋紣錛庯紥
Unit: mm
錛愶紟錛?MAX錛?/div>
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 5.0 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
鈭?00
碌A(chǔ) (max) (V
DS
=
鈭?0
V)
Enhancement mode: V
th
=
鈭?.8
to
鈭?.0
V
(V
DS
=
鈭?0
V, I
D
=
鈭?
mA)
錛戯紟錛?/div>
Low drain鈭抯ource ON resistance: R
DS (ON)
= 0.12
鈩?/div>
(typ.)
錛愶紟錛?/div>
錛曪紟錛暵憋紣錛庯紥
4-V gate drive
錛戯紟錛懧憋紣錛庯紥
錛旓紟錛懧憋紣錛庯紥
錛曪紟錛?/div>
錛愶紟錛?MAX
錛掞紟錛?/div>
錛掞紟錛?/div>
錛掞紟錛撀憋紣錛庯紥
錛愶紟錛柭憋紣錛庯紤錛?/div>
錛愶紟錛柭憋紣錛庯紤錛?/div>
錛?/div>
錛?/div>
錛?/div>
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Drain鈭抯ource voltage
Drain鈭抔ate voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate鈭抯ource voltage
Drain current
Drain power dissipation
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalenche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
DC
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
鈭?0
鈭?0
鹵20
鈭?
鈭?0
20
40.5
鈭?
2
150
鈭?5~150
Unit
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
錛愶紟錛?MAX錛?/div>
錛戯紟1 MAX錛?/div>
Pulse(Note 1)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-7J2B
Weight: 0.36 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to
ambient
Symbol
R
th (ch鈭抍)
R
th (ch鈭抋)
Max
6.25
125
Unit
擄C / W
擄C / W
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150鈩?
Note 2: V
DD
=
鈭?5
V, T
ch
= 25擄C (initial), L = 2.2 mH,
R
G
= 25
鈩?
I
AR
=
鈭?
A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic-sensitive device.
Please handle with caution.
1
2006-06-30

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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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    MOS Field Effect Transistor
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