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2SJ620 Datasheet

  • 2SJ620

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (...

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  • TOSHIBA

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2SJ620
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L
2
-蟺-MOSV)
2SJ620
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
路
路
路
路
路
4-V gate drive
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 63 m鈩?(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| =
15
S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
鈭?00
碌A (max) (V
DS
=
鈭?00
V)
Enhancement-model: V
th
=
鈭?.8
to
鈭?.0
V (V
DS
=
鈭?0
V, I
D
=
鈭?
mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
-100
-100
鹵20
-18
-72
125
937
-18
12.5
150
-55
to150
Unit
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc
=
25擄C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-97
2-9F1B
Weight: 0.74 g (typ.)
Circuit Configuration
4
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Symbol
R
th (ch-c)
Max
1.0
Unit
擄C/W
1
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature
is below 150擄C.
Note 2: V
DD
= -50
V, T
ch
=
25擄C (initial), L
=
3.56 mH, R
G
=
25
W,
I
AR
= -18
A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel
temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
3
1
2002-09-11

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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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    MOS Field Effect Transistor
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