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2SJ619 Datasheet

  • 2SJ619

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (...

  • 6頁(yè)

  • TOSHIBA

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2SJ619
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L
2
-F-MOSV)
2SJ619
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
路
路
路
路
路
4-V gate drive
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 0.15
W
(typ.)
High forward transfer admittance:
茂Y
fs
茂
= 7.7 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
-100
碌A(chǔ) (max) (V
DS
=
-100
V)
Enhancement-model: V
th
=
-0.8
to
-2.0
V (V
DS
=
-10
V, I
D
=
-1
mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
Drain current
DC
Pulse
(Note 1)
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
-100
-100
鹵20
-16
-64
75
292
-16
7.5
150
-55
to150
Unit
V
V
V
A
JEDEC
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
鈥?/div>
SC-97
2-9F1B
Drain power dissipation (Tc
=
25擄C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.74 g (typ.)
Circuit Configuration
4
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Symbol
R
th (ch-c)
Max
1.67
Unit
擄C/W
1
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature
is below 150擄C.
Note 2: V
DD
= -25
V, T
ch
=
25擄C (initial), L
=
1.84 mH, R
G
=
25
W,
I
AR
= -16
A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
3
1
2002-08-09

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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC
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    MOS Field Effect Transistor
    KEXIN [Gua...
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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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