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2SJ610 Datasheet

  • 2SJ610

  • Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applica...

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  • TOSHIBA

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2SJ610
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (蟺-MOSV)
2SJ610
Switching Regulator, DC-DC Converter and
Motor Drive Applications
Unit: mm
路
路
路
路
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 1.85
鈩?/div>
(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 18 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
鈭?00
碌A(chǔ) (V
DS
=
鈭?50
V)
Enhancement-mode: V
th
=
鈭?.5~鈭?.5
V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Tc
=
25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
DC
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
-250
-250
鹵20
-2.0
-4.0
20
180
-2.0
2.0
150
-55~150
A
Unit
V
V
V
Pulse (t
=
1 ms)
(Note 1)
JEDEC
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
鈥?/div>
SC-64
2-7B1B
Drain power dissipation
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.36 g (typ.)
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
R
th (ch-c)
R
th (ch-a)
Max
6.25
125
Unit
擄C/W
擄C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature
is below 150擄C.
Note 2: V
DD
= -50
V, T
ch
=
25擄C (initial), L
=
75 mH, I
AR
= -2.0
A,
R
G
=
25
W
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel
temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with
caution.
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-7J1B
Weight: 0.36 g (typ.)
1
2002-09-11

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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC
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    MOS Field Effect Transistor
    KEXIN [Gua...
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    SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
    NEC [NEC]
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