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2SJ201O Datasheet

  • 2SJ201O

  • TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12A I(D) |...

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2SJ201
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
2SJ201
High Power Amplifier Application
l
High breakdown voltage
l
High forward transfer admittance
l
Complementary to 2SK1530
: V
DSS
=
鈭?00
V
: |Y
fs
| = 5.0 S (typ.)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Drain鈭抯ource voltage
Gate鈭抯ource voltage
Drain current
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
stg
Rating
鈭?00
鹵20
鈭?2
150
150
鈭?5~150
Unit
V
V
A
W
擄C
擄C
Drain power dissipation (Tc = 25擄C)
Channel temperature
Storage temperature range
Marking
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-21F1B
Electrical Characteristics
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Drain cut鈭抩ff current
Gate leakage current
Drain鈭抯ource breakdown voltage
Gate鈭抯ource cut鈭抩ff voltage
(Note 2)
Drain鈭抯ource saturation voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Symbol
I
DSS
I
GSS
V
(BR) DSS
V
GS (OFF)
V
DS (ON)
|Y
fs
|
C
iss
C
oss
C
rss
Test Condition
V
DS
=
鈭?00
V, V
GS
= 0
V
DS
= 0, V
GS
= 鹵20 V
I
D
=
鈭?0
mA, V
GS
= 0
V
DS
=
鈭?0
V, I
D
=
鈭?.1
A
I
D
=
鈭?
A, V
GS
=
鈭?0
V
V
DS
=
鈭?0
V, I
D
=
鈭?
A
V
DS
=
鈭?0
V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
=
鈭?0
V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
V
DS
=
鈭?0
V, V
GS
= 0, f = 1 MHz
Weight: 9.75 g (typ.)
Min
鈥?/div>
鈥?/div>
鈭?00
鈭?.8
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Typ.
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈭?.0
5.0
1500
430
230
Max
鈭?.0
鹵0.5
鈥?/div>
鈭?.8
鈭?.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Unit
mA
碌A(chǔ)
V
V
V
S
pF
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150擄C.
Note 2: V
GS (OFF)
Classification
O:
鈭?.8~鈭?.6,
Y:
鈭?.4~鈭?.8
This transistor is an electrostatic sensitive device.
Please handle with caution.
1
2002-09-02

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    P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)
    TOSHIBA
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    P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)
    TOSHIBA [T...
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    P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC
  • 英文版
    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC [NEC]
  • 英文版
    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
    NEC
  • 英文版
    MOS Fied Effect Transistor
    KEXIN [Gua...
  • 英文版
    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
    NEC [NEC]
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    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC
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    飛思卡爾
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    MOS Fied Effect Transistor
    KEXIN [Gua...
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    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC [NEC]
  • 英文版
    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC
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    MOS Fied Effect Transistor
    KEXIN [Gua...
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    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC [NEC]
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    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
    NEC
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    KEXIN [Gua...
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    P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
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