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2SD2383 Datasheet

  • 2SD2383

  • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-VOLTAGE SWITCHING

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  • NEC   NEC

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DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SD2383
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR HIGH-VOLTAGE SWITCHING
DESCRIPTION
The 2SD2383 is an element realizing high voltage in small
dimension. This transistor is ideal for downsizing sets
requiring high voltage.
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
2.8 鹵0.2
0.4
鈥?.05
+0.1
1.5
0.65
鈥?.15
+0.1
鈥?/div>
High voltage
鈥?/div>
Small dimension
2.9 鹵0.2
0.95
FEATURES
2
0.95
3
1
0.4
+0.1
鈥?.05
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
SC-59
Marking
0.3
1.1 to 1.4
0.16
+0.1
鈥?.06
0 to 0.1
2SD2383
Marking: N1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25擄C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current (DC)
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
P
T
T
j
T
stg
400
300
5.0
20
200
150
鈭?5
to +150
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
1. Emitter
2. Base
3. Collector
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. D16154EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published August 2004 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
2002

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    NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZ...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
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    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
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    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
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    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
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    NPN Transistor
    ETC [ETC]
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    ETC [ETC]
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    ETC [ETC]
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    ETC
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