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2SD2382 Datasheet

  • 2SD2382

  • Power Transistor

  • 1頁

  • SANKEN   SANKEN

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Power Transistor 2SD2382
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25潞C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
Tstg
Ratings
65鹵5
65鹵5
6
鹵6
(pulse
鹵10)
1
30 (Tc=25潞C)
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
潞C
潞C
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
FEC
Es/b
Test Conditions
V
CB
= 60V
V
EB
= 6V
I
C
= 50mA
V
CE
= 1V, I
C
= 1A
I
C
= 1.5A, I
B
= 15mA
I
FEC
= 6A
L = 10mH, single pulse
Ratings
10max
10max
60 to 70
700 to 3000
0.15max
1.5max
200min
4
(Ta=25潞C)
Unit
碌A
碌A
V
V
V
mJ
External Dimensions
FM20 (full-mold)
10.0
4.2
2.8
3.3
C0.5
8.4
a
b
16.9
Typical Switching Characteristics
V
CC
(V)
12
R
L
(鈩?
12
I
C
(A)
1
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
鈥?
I
B1
(mA)
30
I
B2
(mA)
鈥?0
t
on
(碌s)
0.25
t
stg
(碌s)
0.8
t
f
(碌s)
0.35
2.54
2.2
1.35
1.35
0.85
2.54
3.9
0.8
2.6
(13.5)
0.45
B C E
a) Type No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
s
I
C
鈥?V
CE
Characteristics (typ.)
10
30mA
8
20mA
s
V
CE
(sat) 鈥?I
B
Temperature Characteristics (typ.)
0.75
(I
C
= 1.5A)
s
I
C
鈥?V
BE
Temperature Characteristics (typ.)
6
5
V
CE
(sat)
(V
)
10mA
0.5
4
I
C
(A
)
I
C
(A
)
6
5mA
4
3mA
I
B
= 1mA
0.25
Ta = 鈥?5潞C
25潞C
75潞C
125潞C
3
2
1
Ta=55潞C
25潞C
75潞C
125潞C
2
0
0
1
2
3
4
5
0
1
5
10
50 100
400
0
0
0.5
1.0
1.5
V
CE
(V
)
I
B
(mA
)
V
BE
(V
)
s
h
FE
鈥?I
C
Characteristics (typ.)
5000
Typ
1000
(V
CE
= 1V)
s
h
FE
鈥?I
C
Temperature Characteristics (typ.)
5000
(V
CE
= 1V)
s
j-a
鈥?t
Characteristics
5
1000
h
FE
h
FE
500
500
100
50
30
0.01
100
50
30
0.01
Ta = 鈥?5潞C
25潞C
75潞C
125潞C
0.05 0.1
0.5
1
5
10
(
潞C/
W)
j-a
1
0.5
0.3
1
5
10
50 100
500 1000
0.05 0.1
0.5
1
5
10
I
C
(A
)
I
C
(A
)
t (ms
)
s
f
T
鈥?I
E
Characteristics (typ.)
30
25
20
Typ
(V
CE
= 1V)
s
Safe Operating Area (single pulse)
20
c
mse
0.5
ec
1ms
ec
ms
10
c
se
0m
10
s
P
C
鈥?Ta Derating
30
natural air cooling
Silicone grease
Aluminum heatsink
Unit: mm
10
5
D.
C
I
C
(A
)
=
P
C
(
W
)
(T
c
20
W
ith
in
f
T
(
MHz)
15
10
5
0
鈥?.01
1
0.5
Without heatsink
natural air cooling
25
潞C
)
fin
10
15
0
100
鈥?150
鈥?/div>
鈥?
00
2
鈥?
50 鈥?5
0鈥?
Without heatsink
ite
he
at
sin
k
0.1
鈥?.05 鈥?.1
鈥?.5 鈥?
鈥? 鈥?0
1
5
10
50
100
0
0
50
100
150
I
E
(A
)
V
CE
(V
)
Ta (潞C)
59

2SD2382 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • NPN - 達林頓

  • 6 A

  • 65 V

  • 150mV @ 15mA,1.5A

  • 10μA(ICBO)

  • 700 @ 1A,1V

  • 30 W

  • -

  • 150°C(TJ)

  • 通孔

  • TO-220-3 整包

  • TO-220F

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  • 型號
    版本
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    廠商
    下載
  • 英文版
    NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZ...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZ...
    WINGS [Win...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    SAVANTIC [Savan...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL MESA TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Medium Power Amplifiers and Switches
    ETC
  • 英文版
    Medium Power Amplifiers and Switches
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220 
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFI...
    WINGS
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    ETC [NPN Transistor]
    ETC
  • 英文版
    NPN Transistor
    ETC [ETC]

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