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2SD2012_03 Datasheet

  • 2SD2012_03

  • NPN SILICON POWER TRANSISTOR

  • 131.91KB

  • 5頁

  • TOSHIBA

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2SD2012
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2012
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Unit: mm
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
High DC current gain: h
FE (1)
= 100 (min)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 1.0 V (max)
High power dissipation: P
C
= 25 W (Tc = 25擄C)
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Ta = 25擄C
Tc = 25擄C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
60
60
7
3
0.5
2.0
25
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
JEDEC
擄C
擄C
鈥?/div>
鈥?/div>
2-10R1A
JEITA
TOSHIBA
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
Weight: 1.7 g (typ.)
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(鈥淗andling Precautions鈥?Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
1
2006-11-21

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    ETC
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    ETC [ETC]
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    ETC
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    ETC [ETC]
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