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2SD1795 Datasheet

  • 2SD1795

  • Darlington Transistor(10A NPN)

  • 9頁

  • SHINDENGEN   SHINDENGEN

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SHINDENGEN
Darlington Transistor
2SD1795
(TP10K40)
10A NPN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
Unit : mm
RATINGS
鈼廇bsolute Maximum Ratings
Item
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Dielectric Strength
Mounting Torque
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
Vdis
TOR
Conditions
Tc = 25鈩?/div>
Terminals to case AC 1 minute
(Recommended torque : 0.3N錕?frac12;錕絤錛?/div>
Ratings
-55鈭?150
+150
500
400
12
10
15
0.5
1.0
50
2
0.5
Ratings
Min 400
Max 0.1
Max 0.1
Max 100
Min 150
Max 1.5
Max 2.0
Max 2.5
TYP 10
Max 2
Max 15
Max 15
Unit
鈩?/div>
鈩?/div>
V
V
V
A
A
A
A
W
kV
N錕?frac12;錕絤
鈼廍lectrical Characteristics (Tc=25鈩?
Item
Symbol
Collector to Emitter Sustaining Voltage
V
CEO
Collector Cutoff Current
I
CBO
I
CEO
Emitter Cutoff Current
I
EBO
DC Current Gain
h
FE
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
Base to Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Thermal Resistance
胃jc
Transition Frequency
f
T
Turn on Time
ton
Storage Time
Fall Time
Conditions
V
CE
(Clamp)
V
CB
= 500V
V
CE
= 400V
V
EB
= 12V
V
CE
= 2V, I
C
= 7A
I
C
= 7A
I
B
= 70mA
Junction to case
V
CE
= 10V, I
C
= 1A
I
C
= 7A
I
B1
= I
B2
= 70mA
R
L
= 10惟
V
BB2
= 4V
Unit
V
mA
mA
V
V
鈩?W
MHz
渭s
ts
tf
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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    廠商
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    ISC [Incha...
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    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
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    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR
    ETC [ETC]
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    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
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