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2SC945LT1 Datasheet

  • 2SC945LT1

  • General purpose transistors

  • 2頁

  • ETC

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SOT鈥?3
C945LT1
FEATURES
1. BASE
TRANSISTOR錛?NPN
錛?/div>
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Power dissipation
P
CM
:
0.2
W錛圱amb=25鈩冿級
Collector current
I
CM
:
0.15 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 60
V
Operating and storage junction temperature range
T
J
錛孴
stg
: -55鈩?to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS錛圱amb=25鈩?/div>
otherwise specified錛?/div>
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BEF
錛戯紟錛?/div>
錛掞紟錛?/div>
錛戯紟錛?/div>
錛愶紟錛欙紩
錛掞紟錛?/div>
錛戯紟錛?/div>
錛愶紟錛欙紩
unless
Test
conditions
I
E
=0
MIN
60
50
5
0.1
0.1
0.1
130
40
0.3
1
1.4
V
V
V
400
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
Ic= 1
錕?frac12;錕?/div>
A錛?/div>
Ic= 0.1mA錛?I
B
=0
Ic= 100
渭
A錛?I
B
=0
V
CB
=60 V , I
E
=0
V
CB
=45 V , I
E
=0
V
EB
= 5V ,
I
C
=0
錛愶紟錛?/div>
Unit : mm
渭
A
渭
A
渭
A
V
CE
= 6V, I
C
= 1mA
V
CE
= 6V, I
C
= 0.1mA
I
C
=100 mA, I
B
= 10m A
I
C
=100 mA, I
B
= 10m A
I
E
= 310m A
V
CE
=6V,
I = 10mA
C
Transition frequency
f
T
f=
30MHz
150
MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
錛詫拷½錕斤拷½錕斤拷½錕姐€€
錛詫拷½錕斤拷½錕斤拷½錕斤拷½錕姐€€銆€
錛肌錛詫極錛╋籍錛с€€
錛€€
錛戯紦錛愶紞錛掞紣錛愩€€
錛ｏ疾銆€
錛ㄣ€€
錛掞紣錛愶紞錛旓紣錛愩€€

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