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2SC752GTM Datasheet

  • 2SC752GTM

  • Ultra High Speed Switching Applications Computer, Counter Ap...

  • 5頁(yè)

  • TOSHIBA

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2SC752(G)TM
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC752(G)TM
Ultra High Speed Switching Applications
Computer, Counter Applications
路
路
路
High transition frequency: f
T
= 400 MHz (typ.)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.3 V (max)
High speed switching time: t
stg
= 15 ns (typ.)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
40
15
5
200
40
400
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
TO-92
SC-43
2-5F1B
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
DC current gain
(Note)
h
FE (2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
V
CE (sat)
V
BE (sat)
f
T
C
ob
t
on
Test Condition
V
CB
=
40 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
1 V, I
C
=
10 mA
V
CE
=
1 V, I
C
=
100 mA
I
C
=
20 mA, I
B
=
1 mA
I
C
=
20 mA, I
B
=
1 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Weight: 0.21 g (typ.)
Min
戮
戮
40
20
戮
戮
200
戮
戮
Typ.
戮
戮
戮
戮
戮
戮
400
4
70
Max
0.1
0.1
240
戮
0.3
1.0
戮
6
100
Unit
mA
mA
V
V
MHz
pF
Switching time
Storage time
t
stg
戮
15
30
ns
Fall time
t
f
Duty cycle
<
2錛?/div>
=
戮
30
70
Note: h
FE
classification
R: 40~80, O: 70~140, Y: 120~240
1
2003-03-25

2SC752GTM相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    VHF RF AMPLIFIER, MIXER, OSCILLATOR
    ETC
  • 英文版
    VHF RF AMPLIFIER, MIXER, OSCILLATOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    Mitsubishi
  • 英文版
    泰豐
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-98VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-98VA...
  • 英文版
    NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    Mitsubishi
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-92
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    2SC790
    TOSHIBA
  • 英文版
    2SC790
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5
    ETC

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