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2SC6053 Datasheet

  • 2SC6053

  • FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYP...

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  • ISAHAYA

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銆圫MALL-SIGNAL TRANSISTOR銆?/div>
2SC6053
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION
SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
DESCRIPTION
2SC6053 is a mini package resin sealed silicon NPN epitaxial
type transistor designed with high collector current, small V
CE(sat)
.
.
0.5
2.5
1.5
0.5
OUTLINE DRAWING
Unit錛氾拷½錕斤拷½錕?/div>
0.95
0.95
鈼廠uper mini package for easy mounting
鈼廐igh collector current
I
C
= 650mA
2.9
1.90
FEATURE
鈶?/div>
鈶?/div>
鈶?/div>
鈼廘ow collector to emitter saturation voltage
VCE
(sat)
= 0.5V max
1.1
0.16
APPLICATION
Small type motor drive, relay drive, power supply
0鈭?.1
TERMINAL CONNECTER
鈶狅細(xì)BASE
鈶★細(xì)EMITTER
EIAJ 錛?SC-59
JEDEC 錛?TO-236 resemblance
MAXIMUM RATINGS
錛圱a=25鈩冿級(jí)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
O
鈶細(xì)COLLECTOR
Ratings
25
20
4
650
150
錛?50
-55鈭鹼紜150
Unit
V
V
V
mA
mW
鈩?/div>
鈩?/div>
TYPE NAME
Parameter
Collector to Base voltage
Collector to Emitter voltage
Emitter to Base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction temperature
Storage temperature
MARKING
P
c
T
j
T
stg
0.8
銉籅 F
錕?frac12;錕?/div>
錛︼譏
ITEM
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
錛圱a=25鈩冿級(jí)
Parameter
C to E break down voltage
C to B break down voltage
E to B break down voltage
Collector cut off current
Emitter cut off current
DC forward current gain
C to E saturation voltage
Gain band width product
錛婏細(xì) It shows h
FE
classification in right table.
Symbol
Test conditions
Limits
Min
Typ
Max
Unit
V
錛圔R錛塁EO
V
錛圔R錛塁BO
V
錛圔R錛塃BO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
V
CE錛坰at錛?/div>
fT
IC=100渭A銆丷BE=鈭?/div>
IC=10渭A銆両E=0
IE=10渭A銆両C=0
VCB=25V銆両E=0
VEB=2V銆両C=0
VCE=4V銆両C=100mA
IC=500mA銆両B=25mA
VCE=6V銆両E=-10mA
Item
hFE
E
20
25
4
1
1
150
0.3
290
F
250 to 500
0.4
V
V
V
渭A
渭A
---
V
MHz
G
400 to 800
800
0.5
150 to 300
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

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  • 型號(hào)
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    ETC
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    NPN SILICON TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR
    ETC
  • 英文版
    NPN SILICON TRANSISTOR
    ETC [ETC]
  • 英文版
    ETC [PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
    ETC
  • 英文版
    泰豐
  • 英文版
    SILICON EPITAXIAL PLANAR
    HITACHI
  • 英文版
    SILICON EPITAXIAL PLANAR
    HITACHI [H...
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
    ETC
  • 英文版
    POWER TRANSISTOR(6A,50W)
    MOSPEC
  • 英文版
    POWER TRANSISTOR(6A,50W)
    MOSPEC [Mo...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-106VA...
    ETC
  • 英文版
    Si NPN Epitaxial Planar
    TOSHIBA
  • 英文版
    Si NPN Epitaxial Planar
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused Type
    TOSHIBA
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused Type
    TOSHIBA [T...
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