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2SC5863 Datasheet

  • 2SC5863

  • Mini3-G1

  • 76.74KB

  • panasonic

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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Transistors
2SC5863
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
For general amplification
0.40
+0.10
鈥?.05
3
1.50
+0.25
鈥?.05
2.8
+0.2
鈥?.3
0.16
+0.10
鈥?.06
(0.95) (0.95)
1.9
鹵0.1
2.90
+0.20
鈥?.05
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
300
300
7
70
100
200
150
鈭?5
to
+150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
10藲
1.1
+0.2
鈥?.1
1.1
+0.3
鈥?.1
(0.65)
鈥?/div>
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
鈥?/div>
High transition frequency f
T
1
2
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
Marking Symbol: 7H
鈻?/div>
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector-emitter cutoff current (Base open)
Forward current transfer ratio
*
Collector-emitter saturation voltage
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Transition frequency
Symbol
V
CEO
V
EBO
I
CEO
h
FE
V
CE(sat)
C
ob
f
T
Conditions
I
C
=
100
碌A(chǔ),
I
B
=
0
I
E
=
1
碌A(chǔ),
I
C
=
0
V
CE
=
120 V, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
50 mA, I
B
=
5 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
= 鈭?0
mA, f
=
200 MHz
50
80
60
Min
300
7
1
220
1.2
10
Typ
Max
Unit
V
V
碌A(chǔ)
錚?/div>
V
pF
MHz
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
h
FE
Q
60 to 150
R
100 to 220
0 to 0.1
Publication date: November 2002
SJC00290AED
0.4
鹵0.2
鈻?/div>
Features
5藲
1

2SC5863相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
  • 英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
  • 英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江蘇長(zhǎng)電
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC

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