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2SC5720 Datasheet

  • 2SC5720

  • Toshiba Semiconductor [MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS ...

  • TOSHIBA

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2SC5720
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5720
MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
STOROBO FLASH APPLICATIONS
路
Low Saturation Voltage:
V
CE (sat) (1)
= 0.25 V (max)
(I
C
= 3 A/I
B
= 60 mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristic
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
DC
Pulsed
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
Rating
15
10
7
5
9
550
150
-55
to 150
Unit
V
V
V
A
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-4E1A
Note1: When a device is mounted on a glass epoxy board
(35 mm
麓
30 mm
麓
1mm)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25擄C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-Emitter breakdown voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
Test Condition
V
CB
=
15 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
Weight: 0.13 g (typ.)
Min
戮
戮
10
700
450
240
戮
戮
Typ.
戮
戮
戮
戮
戮
戮
戮
30
Max
0.1
0.1
戮
2000
戮
戮
0.25
戮
V
pF
Unit
mA
mA
V
h
FE(1)
(Note2) V
CE
=
1.5 V, I
C
=
0.5 A
DC current gain
h
FE(2)
(Note2) V
CE
=
1.5 V, I
C
=
2 A
h
FE(3)
(Note2) V
CE
=
1.5 V, I
C
=
5 A
Collector-Emitter saturation voltage
Collector output capacitance
V
CE (sat)
(Note2)
C
ob
I
C
=
3 A, I
B
=
60 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Note2: Pulse test
1
2001-10-03

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  • 型號(hào)
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    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC
  • 英文版
    High Voltage Transistors
    ETC [ETC]
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-39
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Power Transistors
    ISC [Incha...
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VA...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37VAR
    ETC
  • 英文版
    ETC [High Voltage Transistors]
    ETC
  • 英文版
    Silicon NPN Triple Diffused
    hitachi
  • 英文版
    TRANSISTOR (NPN)
    ETC
  • 英文版
    TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
    江蘇長電
  • 英文版
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 100MA I(C) | TO-106VAR
    ETC

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